Memória à base de tungstênio promete velocidade de nanossegundos
Pesquisadores de Taiwan desenvolveram um novo tipo de memória de última geração que promete revolucionar o armazenamento de dados. A tecnologia, baseada em tungstênio, oferece velocidade de comutação em escala de nanossegundos e baixo consumo de energia, combinando o melhor de diferentes tipos de memória atualmente disponíveis no mercado. As informações são do TechXplore.
O estudo, conduzido por cientistas da National Yang Ming Chiao Tung University, em colaboração com a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) e o Industrial Technology Research Institute, foi publicado na revista Nature Electronics. O objetivo era criar um tipo de memória SOT-MRAM (Spin-Orbit Torque Magnetic Random Access Memory) que unisse velocidade, durabilidade e compatibilidade com processos industriais já e
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